产品介绍

III族氮化物（GaN, AlN, InN） 2英寸AlN模板覆盖在蓝宝石或碳化硅衬底上，HVPE氮化镓晶圆，AlN衬底覆盖在GaN上。我们提供单晶AlN衬底，覆盖在c平面蓝宝石模板上，称为AlN晶圆或AlN模板，用于紫外线LED、半导体器件和AlGaN外延生长。我们的外延准备好的C平面AlN衬底具有良好的XRD FWHM或位错密度。可提供的厚度从30纳米到5微米。 我们的单晶氮化铝衬底具有低位错，应用范围广泛：包括紫外线LED、探测器、红外寻求器窗口、III族氮化物的外延生长、激光器、射频晶体管以及其他半导体器件。 禁带宽度（发光和吸收）涵盖紫外线、可见光和红外线。 AlN模板用于开发HEMT结构、共振隧道二极管和  声电子设备

产品参数

产品图片

用户反馈&客户案例

客户行业：电力电子和光电子从业者

来自地区：安徽

产品名称：GaN氮化镓晶圆

制造商：鑫科汇

使用经历：

发现与了解：通过朋友的介绍，我得知了鑫科汇，并对其碳化硅（SiC）定制服务以及GaN氮化镓晶圆等半导体材料产生了浓厚兴趣。这引起了我的好奇心，因为我在电力电子和光电子领域一直在寻找高性能的半导体材料。

专业工程师支持：在联系鑫科汇后，专业工程师们热情地与我进行了深入的技术沟通。他们详细解释了GaN氮化镓晶圆的特性，并耐心回答了我的各种问题。这种专业的支持让我对鑫科汇的技术实力有了更深刻的认识。

需求讨论与反馈：通过2次的需求讨论和反馈过程，我逐渐明确了我对产品的具体要求。鑫科汇的团队在每次交流中都展现出高度的责任心，积极倾听我的需求，并提供专业建议，使我更加信任他们的定制服务。

小批量生产体验：在与鑫科汇的充分沟通后，我决定进行一次小型的批量生产，以验证产品是否符合我的期望。这一决定也得益于我对他们专业工程师团队的信任和对产品质量的自信。

成品交付与满意度：在22天的时间里，我迅速收到了定制的GaN氮化镓晶圆。开箱后，成品的质量让我非常满意，与我的要求契合度达到了98%。这个成果超出了我的期望，让我对鑫科汇的生产能力和质量抱有极大信心。

总体感受：作为用户，我对鑫科汇提供的GaN氮化镓晶圆产品和定制服务充满满意。他们以专业、负责的态度回应我的需求，使我在定制过程中感受到了高效和顺畅的体验。成品的高质量更让我确信，选择鑫科汇是一个明智的决定。

展望未来：期待未来有更多合作的机会，我相信鑫科汇会继续为我提供卓越的产品和服务。感谢他们专业团队的支持，让我能够在电力电子和光电子领域更上一层楼。